7月30日上午,，國際電子電氣工程師協(xié)會（IEEE）電子器件學(xué)會（EDS）廣州分會第13次研討會（Mini-colloquium）在我所舉行,。本次研討會的主題為“先進(jìn)III-V族器件及可靠性”，會議邀請了IEEE 杰出講師,、Fellow陳文新教授（Mansun Chan）和劉紀(jì)美（Kay Mei Lau）做專題報告，我所重點實驗室曾暢博士做了學(xué)術(shù)報告,。本次參會人員約30人,，主要來自我所,、華南理工大學(xué)、廣東工業(yè)大學(xué),、西安電子科技大學(xué)的科技人員和研究生,。

陳文新教授的報告題目為“超越器件物理的緊湊建模”,。他是SPICE軟件中BSIM統(tǒng)一模型的主要開發(fā)者,，該模型被大多數(shù)美國公司采用，并成為了第一個MOSFET模型的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),。該報告介紹了集成電路學(xué)術(shù)界仿真模型和工業(yè)界仿真模型相結(jié)合的開發(fā)過程,，是一個可更高效開發(fā)的平臺。納米工程電子器件仿真（NEEDS）和交互模型和在線仿真（i-MOS）的出現(xiàn),，為器件模型開發(fā)者提供了一個協(xié)作平臺,，引入現(xiàn)在軟件工程方法學(xué)可有效縮短模型的開發(fā)時間。

劉紀(jì)美教授的報告題目為“面向硅上光電單片集成的III-V族器件異質(zhì)結(jié)生長”,。劉教授與工業(yè)界緊密聯(lián)系,，曾任美國麻省大學(xué)教授，在III-V材料與器件方面具有三十多年的經(jīng)驗,。劉教授介紹了硅基襯底上外延生長III-V晶體管,、InP緩沖層、InAlGaAs/ InAlAs多量子阱激光器的方法,，以及缺陷控制手段,。

曾暢博士介紹了我所在GaN器件失效機(jī)理研究及可靠性表征分析技術(shù)方面的研究進(jìn)展。關(guān)于失效機(jī)理分析,，他與工業(yè)界緊密連寫,，發(fā)現(xiàn)并解決了器件工藝方面的薄弱環(huán)節(jié)。

通過IEEE平臺,，我所與國外的知名教授或研究人員建立了定期溝通的渠道,，在學(xué)術(shù)研究上保持同步。（楊少華供稿）

（重點實驗室,、科技委）