5月15日上午,，國際電子電氣工程師協(xié)會（IEEE）電子器件學會（EDS）廣州分會2014年度第一次暨第九屆研討會（Mini-colloquium）在我所舉行。我所是IEEE EDS廣州分會的掛靠單位,，本次會議由IEEE EDS學會資助,，由所科技委和重點實驗室承辦，主題為“GaN微波/功率器件,、封裝及其可靠性”,。
本次研討會重點關注GaN基新型微波、功率器件及其封裝方面的失效機理,、可靠性評估的最新研究動態(tài),，邀請了美國中佛羅里達大學（UCF）的Jiann-shiun Yuan（袁建勛）教授、臺灣交通大學（NCTU）的張翼教授,、香港科技大學（HKUST）的李世瑋教授,、電子五所曾暢博士開展技術報告，交流最新的科研成果,。本次研討會參會人數(shù)65人,，主要來自我所科技人員,、華南理工大學,、廣東工業(yè)大學和中山大學研究生，互動積極,，學術氣氛熱烈,。
李世瑋教授的報告題目為“電子封裝跌落試驗焊點可靠性的回顧與前瞻”，他是IEEE,、ASME,、IMAPS、IoP等國際學會的Fellow,、IEEE CPMT學會的前會長,。李教授的報告富有激情，深入淺出地論述了電子封裝焊點在跌落過程中的機械應力及演變機制,。
袁建勛教授的匯報題目為“RF電路可靠性”,，他是美國中佛羅里達大學的教授、IEEE Fellow,、IC設計實驗室的主任,。他主要從RF電路的可靠性問題出發(fā),，針對應力引入的參數(shù)漂移設計了各種不同的RF電路，如低噪放大器LNA,、放大器,、振蕩器、混合器（頻率達70GHz）等等,，設計先進可靠,。
張翼教授是臺灣交通大學的教授、研發(fā)長,、IEEE Fellow,，他主要從事GaN微波與功率器件研究，與產(chǎn)業(yè)界的聯(lián)系非常密切,，具有豐富經(jīng)驗,。他匯報的題目為“
GaN基高功率器件的實現(xiàn)及其應用”，介紹了材料生長,、器件結構,、器件制作過程中的各種可靠性問題，信息量很大,，具有可靠性研究具有很好的參考價值,。
曾暢博士的報告題目為“GaN HEMT器件失效機理研究”，他在GaN HEMT器件上比較有造詣,，在國際知名刊物發(fā)表文章多篇,。該報告主要側重HEMT器件材料應力分析、失效表征,、以及失效機理解釋方面進行詳細論述,、介紹了原創(chuàng)性的成果，獲得了張教授,、袁教授的贊賞,。
借助IEEE這個平臺，我所與國外的知名教授或研究人員建立了定期溝通的渠道,，了解了國外進行的器件可靠性研究動態(tài),，促進了我所在該方面的研究進步，擴大了我所學術影響力,。[楊少華 供稿]
IEEE杰出講師合影
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（重點實驗室,、科技委）
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