7月15日上午，我所舉辦了國際電子電氣工程師協(xié)會（IEEE）電子器件學會（EDS）廣州分會第八屆研討會（Mini-colloquium）。我所是IEEE EDS廣州分會的掛靠單位，本次會議由IEEE資助,，由所科技委和重點實驗室承辦,。會議邀請到IEEE EDS杰出講師劉俊杰（Juin J.Liou）教授和莊紹動（Steve S.Chung）教授進行學術報告,，會議的主題為“微電子器件可靠性物理與評估技術”,。

劉俊杰教授是美國中佛羅里達大學飛馬學者、IEEE Fellow,、IEEE EDS分會副主席,，獲得了美國聯(lián)邦機構、工業(yè)界大量的經費資助,，在學術界和微電子業(yè)界享有盛譽,。他在美國,、中國、日本,、臺灣,、新加坡多家實驗室和公司擔任顧問，還是中國長江學者,，在浙江大學,、北京大學等高校的特聘教授。劉教授研究方向為射頻器件建模與仿真,、ESD防護設計與模擬,，在ESD設計方面擁有豐富經驗。劉教授做了“高壓硅BiCMOS/BCD器件的靜電放電保護技術”的學術報告,，針對汽車芯片的高壓電路ESD保護,、開態(tài)電阻、ESD魯棒性,、閂鎖等問題,，介紹了高壓電路ESD設計要求、設計挑戰(zhàn),、以及相關的設計方法如可控硅結構（SCR）保護電路、分段法,、堆疊法,、GGNMOS+SCR方法、電容耦合法等,。劉教授深入淺出,，將復雜的設計問題以簡單易懂方式講述，并輔以詳細設計案例,，使得參會人員受益匪淺,。

莊紹動（Steve S.Chung）教授是臺灣交通大學教授、IEEE Fellow,、臺聯(lián)電（UMC）的講席教授,，他曾擔任臺積電（TSMC）和臺聯(lián)電（UMC）的顧問，負責咨詢CMOS和閃存技術,，具有豐富的技術和行業(yè)經驗,。他目前的研究方向為：納米器件，界面特性和可靠性建模,，硅基生物器件,。莊教授的報告題目是“高性能高可靠性應力CMOS器件的開發(fā)指南”。隨著摩爾定律的延伸,，硅基應變GeSi器件已經在高速,、低功耗器件中應用,，但器件的應力會加速器件驅動電流的退化。莊教授介紹了硅基應變器件的相關失效機理,、精密的可靠性評估方法如電荷泵測量,、柵二極管測量等方法，以及在性能和可靠性方面相權衡的設計方法,。

本次研討參會人員50余人,，主要是來自我所的科技人員、華南理工大學和廣東工業(yè)大學的研究生,。借助IEEE EDS研討會這個平臺,，與國外的知名教授或研究人員建立了定期溝通的渠道，了解了國外器件可靠性研究最新動態(tài),，促進了我所在該方面研究的進步,。

 （重點實驗室、科技委）