5月30日上午,，國際電子電氣工程師協(xié)會（IEEE）電子器件學(xué)會（EDS）廣州分會2013年度第一次研討會（Mini-colloquium）在我所舉行。本次會議由IEEE資助,，我所科技委和重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室承辦,。我所是IEEE EDS廣州分會的掛靠單位,。

本次會議緊緊圍繞“微電子器件可靠性物理與評估技術(shù)”展開研討。會議邀請IEEE杰出講師Fernando Guarin博士及我所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳義強(qiáng)博士進(jìn)行大會報(bào)告,。Fernando Guarin博士是IBM微電子部半導(dǎo)體研發(fā)中心的高級工程師和科學(xué)家,，IEEE Fellow，IEEE EDS學(xué)會秘書長,，在微電子可靠性領(lǐng)域工作了30多年,，于1980年-1988年在國家半導(dǎo)體公司軍用和宇航部工作，1988年加入IBM微電子工作至今,，主要工作為先進(jìn)的雙極型,、CMOS及鍺硅技術(shù)的可靠性物理和建模；他目前正領(lǐng)導(dǎo)IBM 14nm工藝CMOS技術(shù)的鑒定工作,，在微電子可靠性領(lǐng)域有豐富的經(jīng)驗(yàn),；Guarin博士作了“CMOS器件質(zhì)量可靠性前沿技術(shù)及發(fā)展趨勢”的講座，主要介紹在CMOS器件在納米尺寸效應(yīng)下帶來的可靠性挑戰(zhàn),，如熱載流子,、偏置電壓下的溫度穩(wěn)定性、高K金屬柵可靠性問題,、SRAM的開關(guān)行為等等,，綜合全面地論述了納米尺寸下CMOS集成電路的可靠性問題及其前沿技術(shù)趨勢。陳義強(qiáng)博士作了“微納米器件可靠性物理建模及預(yù)警實(shí)現(xiàn)”報(bào)告,，他展望了微電子器件可靠性技術(shù)從材料與器件,、物理建模、故障診斷和健康管理（PHM）技術(shù)的發(fā)展,；結(jié)合他前期的研究工作,，介紹了納米鐵電存儲器的失效機(jī)理研究、器件可靠性物理建模等工作,，研究成果在《Applied Physics Letters》,、《IEEE Electron Device Letters》等國際頂級期刊上發(fā)表，得到了雜志評委高度評價(jià),；針對集成電路電遷移,、HCI等主要失效機(jī)理，陳博士開展IC預(yù)警電路的設(shè)計(jì),，并流片驗(yàn)證,，申請了國內(nèi)發(fā)明專利和國際發(fā)明專利,；這是我所在微電子可靠性研究領(lǐng)域的重大進(jìn)步，與國際先進(jìn)水平同步,。

研討會上講師和參會人員積極互動,，促進(jìn)了我所與國外微電子可靠性物理和評價(jià)技術(shù)的學(xué)術(shù)交流，學(xué)術(shù)氣氛熱烈,。Guarin博士表示,，屆時(shí)將參加我所承辦的2014年ICQRMS國際會議并做報(bào)告。

據(jù)悉,，IEEE EDS2013年度第二次研討會將于7月15日舉辦,，屆時(shí)IEEE EDS副主席、美國中佛羅里達(dá)大學(xué)Juin J.Liou教授和IEEE Fellow,、臺灣交通大學(xué)的莊紹動教授將做講座報(bào)告,。

 （重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、科技委）