7月2日,，國際電子電氣工程師協(xié)會（IEEE）電子器件學(xué)會（EDS）廣州分會2011年度研討會在我所舉行,。會議由IEEE資助，我所作為IEEE EDS廣州分會的掛靠單位主辦,，由所科技委和重點實驗室承辦,。本次研討會的主題為“微電子可靠性與PHM技術(shù)論壇”，會議邀請了四位專家做了主題報告,，其中三位為IEEE杰出講師,、IEEE Fellow、國際知名專家,；參會人員50余名,。會議由IEEE EDS廣州分會主席、所顧問,、所科技委主任孔學(xué)東研究員主持,，會議學(xué)術(shù)氣氛濃厚，促進了我所在微電子可靠性和電子系統(tǒng)PHM技術(shù)的學(xué)術(shù)交流,。

      目前,，微電子技術(shù)已進入納米時代，集成電路的柵長已達22nm、柵介質(zhì)厚度接近1nm,，由此帶來了一系列的可靠性問題，例如：靜電放電（ESD）設(shè)計和防護,、柵介質(zhì)的可靠性問題及測量表征,，新型高k柵介質(zhì)的選擇等。另外,，隨著電子系統(tǒng)的日益復(fù)雜,，其故障診斷及健康管理（PHM）的重要性日益突出，成為研究熱點,。針對這些前沿學(xué)術(shù)問題,，我們邀請了IEEE 杰出講師、Fellow,、EDS分會副主席,、美國中佛羅里達大學(xué)劉俊杰（Juin J. Liou）教授，IEEE杰出講師,、Fellow,、臺灣交通大學(xué)莊紹動（Steve S.Chung）教授，IEEE杰出講師,、Fellow,、香港城市大學(xué)王曦（Hei Wong）教授，工業(yè)和信息化部電子五所陸裕東高級工程師進行了主題演講和學(xué)術(shù)交流,。

      劉俊杰教授做了“現(xiàn)代及未來集成電路抗靜電保護的展望和挑戰(zhàn)”的報告,，他展望了納米線新型晶體管的抗ESD設(shè)計及其進展，認為抗ESD問題是硅納米線和有機電子學(xué)商業(yè)化的主要障礙,。莊紹動教授的報告題目為：“1nm超薄柵氧化層納米CMOS電路的可靠性測試和策略”,。他著重論述了頻率增強電荷泵（IFCP）法用于集成電路可靠性測試和評價。王曦教授開展了“采用La2O3柵介質(zhì)膜改善MOS管的電學(xué)特性”的技術(shù)交流,，介紹了介質(zhì)中摻鑭的各種工藝和方法,，以及器件電學(xué)特性的改善。針對目前電子系統(tǒng)PHM技術(shù)的研究熱點,，陸裕東高工做了“電子產(chǎn)品的故障預(yù)測與系統(tǒng)健康管理技術(shù)”技術(shù)報告,。

      經(jīng)過一整天緊張而富有啟發(fā)的研討和技術(shù)交流，擴展了我所在基礎(chǔ)研究和學(xué)術(shù)前沿方面的視野,，了解國際微電子技術(shù)的前沿動態(tài),，增強了學(xué)術(shù)交流和合作。本次研討會是IEEE EDS廣州分會的第6屆研討會,，IEEE EDS副主席劉俊杰教授表示,，將增加對廣州分會的學(xué)術(shù)交流資助，擴大規(guī)模爭取辦成國際研討會或國際學(xué)術(shù)交流會，擴大我所的科研影響力,。

IEEE EDS杰出講師與研討會參會人員合影

（重點實驗室）