由工業(yè)和信息化部電子第五研究所（以下簡稱電子五所）元器件可靠性國家級重點實驗室牽頭編制，聯(lián)合行業(yè)專業(yè)單位參與,，經(jīng)中國電子學(xué)會批準(zhǔn),，《電子元器件失效機(jī)理、模式及影響分析（FMMEA）通用方法和程序》《電子元器件故障樹分析方法和應(yīng)用方法》《MEMS器件沖擊可靠性試驗方法》等7項標(biāo)準(zhǔn)于2021年11月22日發(fā)布,，于2022年2月1日實施,，現(xiàn)正式印刷出版。

       此次發(fā)布的7項標(biāo)準(zhǔn),，主要面向電子元器件,、半導(dǎo)體器件在質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)化方面的需求，總結(jié)實驗室多年的科研和技術(shù)開發(fā)成果,，形成可靠性分析,、測試及評價等方面的電子學(xué)會團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，可以為開展相關(guān)產(chǎn)品的質(zhì)量可靠性工作提供支撐,。各標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容簡要介紹如下：

1,、T/CIE 115—2021《電子元器件失效機(jī)理、模式及影響分析（FMMEA）通用方法和程序》

規(guī)定了對電子元器件進(jìn)行失效機(jī)理,、模式及其影響分析（FMMEA）的通用方法和程序,。本標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布是對系統(tǒng)及整機(jī)級的FMEA標(biāo)準(zhǔn)的有效補(bǔ)充，適用于電子元器件在設(shè)計和應(yīng)用階段的潛在失效問題識別,，并預(yù)先采取有效的預(yù)防措施,；從而支撐元器件的可靠性設(shè)計、生產(chǎn)工藝控制以及整機(jī)用戶的可靠性應(yīng)用,。起草單位：電子五所,、中國電科55所、電子科技大學(xué),。主要起草人：來萍,、陳媛、何小琦等,。

2、T/CIE 116—2021《電子元器件故障樹分析方法與程序》

規(guī)定了基于失效物理的電子元器件故障樹建樹方法及故障樹分析程序,。描述了以故障樹為載體的電子元器件故障信息庫構(gòu)建方法,。適用于電子元器件在設(shè)計、研制,、生產(chǎn)和使用階段進(jìn)行故障樹建造和失效路徑分析,，其結(jié)果可用于電子元器件的質(zhì)量歸零問題分析、可靠性設(shè)計分析和應(yīng)用風(fēng)險分析。起草單位：電子五所,。主要起草人：何小琦,、陳媛、恩云飛等,。

3,、T/CIE 117—2021《MEMS器件機(jī)械沖擊試驗方法》。

規(guī)定了MEMS器件在加電和不加電狀態(tài)下的機(jī)械沖擊試驗方法的技術(shù)要求,、試驗程序和檢驗評價規(guī)則等,。目的在于評估MEMS器件在裝卸、運輸和使用環(huán)境中,，由于瞬時受力或者運動狀態(tài)突然發(fā)生變化而產(chǎn)生瞬間機(jī)械沖擊時的抗沖擊能力,。適用于MEMS器件的研制、生產(chǎn)和產(chǎn)品鑒定驗收等階段,，適用的機(jī)械沖擊脈沖寬度范圍0.05ms～30 ms,，峰值范圍5g～30,000g。起草單位：電子五所,、東南大學(xué),、中國科學(xué)院微電子研究所。主要起草人：黃欽文,、來萍,、董顯山等。

4,、T/CIE 118—2021《多熱源組件（MCM/SiP）熱性能指標(biāo)及評價方法》

規(guī)定了多熱源組件（MCM/SiP）的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)熱性能表征參數(shù),，包括：結(jié)溫矩陣、熱阻矩陣,、熱特性參數(shù)和瞬態(tài)熱阻抗等,，以及這些熱性能表征參數(shù)的指標(biāo)要求和檢測評價方法。適用于混合集成電路（HIC）,、多芯片組件（MCM）,、系統(tǒng)級封裝（SiP）組件等多熱源組件的熱性能指標(biāo)制定，及多熱源組件的熱性能檢測,、熱設(shè)計和可靠性設(shè)計分析與驗證,。起草單位：電子五所。起草人：何小琦,，周斌,，黃云等。

5,、T/CIE 119—2021《半導(dǎo)體器件大氣中子單粒子效應(yīng)試驗方法與程序》

規(guī)定使用散裂中子源對半導(dǎo)體器件進(jìn)行大氣中子單粒子效應(yīng)加速試驗的方法與程序,。適用于航空,、地面等應(yīng)用環(huán)境中半導(dǎo)體集成電路和分立器件的中子單粒子效應(yīng)敏感性檢測試驗。中子來源于初始高能宇宙射線與大氣的相互作用,，主要為熱中子和能量高于1MeV的高能中子,。不適用于α粒子引起的單粒子效應(yīng)。

起草單位：電子五所,、中國民用航空適航審定中心,、散裂中子源科學(xué)中心等。主要起草人：張戰(zhàn)剛,、雷志鋒,、黃云等。

6,、T/CIE 120—2021《半導(dǎo)體集成電路硬件木馬檢測方法》

規(guī)定了對半導(dǎo)體集成電路開展硬件木馬檢測的方法和程序,，適用于自主設(shè)計但制造過程非受控的集成電路的硬件木馬檢測，可用于集成電路的提供者,、使用者和第三方評價集成電路產(chǎn)品的安全,。起草單位：電子五所、國防科技大學(xué),、西安電子科技大學(xué),。主要起草人：王力緯、侯波,、雷登云等,。

7、T/CIE 121—2021《逆導(dǎo)型IGBT的熱阻測試方法》

規(guī)定了逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）器件的穩(wěn)態(tài)熱阻和瞬態(tài)熱阻的電學(xué)法測試的基本原理和方法,。本標(biāo)準(zhǔn)以IGBT中體二極管導(dǎo)通電壓為熱敏參數(shù),，建立適用于逆導(dǎo)型 IGBT器件的熱阻測試電路和方法，規(guī)范逆導(dǎo)型IGBT的熱阻測試流程,，提高測試準(zhǔn)確性,。

起草單位：電子五所、電子科技大學(xué),、北京工業(yè)大學(xué)等,。主要起草人：陳媛、來萍,、何小琦等,。

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