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工信部電子五所牽頭編制的7項(xiàng)電子學(xué)會團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

  • 2023-02-07
  • 來源:重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
  • 供稿人:韋覃如
  • 字體:

由工業(yè)和信息化部電子第五研究所(以下簡稱電子五所)元器件可靠性國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室牽頭編制,,行業(yè)專業(yè)單位參與,,經(jīng)中國電子學(xué)會批準(zhǔn),,《復(fù)雜組件封裝關(guān)鍵結(jié)構(gòu)壽命評價(jià)方法》,、《半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法》,、《輻射誘生缺陷的深能級瞬態(tài)譜測試方法》等7項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)于20221231日正式發(fā)布,,于2023131日正式實(shí)施,。

       此次發(fā)布的7項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn),,主要面向各類重要和新型半導(dǎo)體器件,,針對產(chǎn)品質(zhì)量可靠性方面的測試和試驗(yàn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化的需求,總結(jié)科研和技術(shù)開發(fā)的成果,,形成電子學(xué)會團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn),,以期為相關(guān)產(chǎn)品的質(zhì)量可靠性工作提供支撐。各標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容簡要介紹如下:

1,、T/CIE 143—2022《復(fù)雜組件封裝關(guān)鍵結(jié)構(gòu)壽命評價(jià)方法》

規(guī)定了復(fù)雜組件封裝關(guān)鍵結(jié)構(gòu)壽命評價(jià)方法,,包括芯片凸點(diǎn)、芯片底填膠,、鍵合絲,、板級互連等關(guān)鍵封裝結(jié)構(gòu)的應(yīng)力分析和綜合可靠性評價(jià),適用于封裝結(jié)構(gòu)薄弱環(huán)節(jié)分析和可靠性仿真評價(jià),。起草單位:電子五所,、中國電科58所、中科院微電子所等,。主要起草人:陳思,、薛海紅、周斌等,。

2,、T/CIE 144—2022《半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法》

規(guī)定了半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法及半導(dǎo)體元器件強(qiáng)化試驗(yàn)的一般步驟、相關(guān)要求,、方法及參數(shù)監(jiān)測等,。適用于半導(dǎo)體分立器件、集成電路、微波器件的可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)指導(dǎo),。適用于研制單位和用戶采取改進(jìn)措施來消除缺陷,,提升產(chǎn)品可靠性。起草單位:電子五所,、航空工業(yè)第一飛機(jī)設(shè)計(jì)研究院,。主要起草人:楊少華、顏佳輝,、薛海紅等,。

3T/CIE 145—2022《輻射誘生缺陷的深能級瞬態(tài)譜測試方法》

規(guī)定了利用電容瞬態(tài)深能級瞬態(tài)譜測試輻射誘生缺陷的方法和程序,,適用于包含P-N結(jié),、肖特基結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中輻射誘生深能級缺陷的測試,。起草單位:電子五所,、哈爾濱工業(yè)大學(xué)。主要起草人:彭超,、雷志鋒,、何玉娟等。

4,、T/CIE 146—2022《微機(jī)電(MEMS)器件晶圓鍵合試驗(yàn)評價(jià)方法》

規(guī)定了對MEMS器件晶圓鍵合開展試驗(yàn)評價(jià)的方法和程序,,適用于基于晶圓鍵合工藝加工的MEMS器件,包括MEMS器件成品結(jié)構(gòu),、晶圓鍵合工藝過程結(jié)構(gòu)等,。起草單位:電子五所、北京大學(xué),、中國兵器工業(yè)第二一四研究所,。主要起草人:董顯山、來萍,、韋覃如等,。

5T/CIE 147—2022《空間行波管加速壽命試驗(yàn)評估技術(shù)規(guī)范》規(guī)定了空間行波管加速壽命試驗(yàn)及基于此試驗(yàn)的壽命評估技術(shù)規(guī)范,,適用于空間行波管的壽命評估以期推進(jìn)空間行波管的研究與發(fā)展,。起草單位:電子五所、電子科技大學(xué),。主要起草人:宋芳芳,、王鐵羊、宮玉彬等,。

6,、T/CIE 148—2022《阻變存儲單元電學(xué)測試規(guī)范》

規(guī)定了阻變存儲單元擦寫、耐久性和數(shù)據(jù)保持等測試方法,其結(jié)果用于表征阻變存儲器的電學(xué)特性,,適用于阻變存儲器器件的測試,,用于測試器件單元特性,不適用于包含外部驅(qū)動電路的存儲單元,。本標(biāo)準(zhǔn)通過將阻變存儲單元的測試標(biāo)準(zhǔn)化,,以推進(jìn)阻變存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。起草單位:電子五所,、廣東工業(yè)大學(xué),、中國科學(xué)院微電子研究所等。主要起草人:雷登云,、韋覃如,、張等。

7,、T/CIE 150—2022《現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)芯片時(shí)序可靠性測試規(guī)范》

規(guī)定了FPGA芯片時(shí)序可靠性測試,包含了硬核IP,、接口IP,、互聯(lián)等模塊的時(shí)序可靠性評估方法,用以保障FPGA滿足預(yù)定用途所需的時(shí)序穩(wěn)定性要求,。起草單位:電子五所,、黃河科技學(xué)院、廣東工業(yè)大學(xué)等,。主要起草人:雷登云,、余永濤、楊東等,。