7月17日，我所牽頭承擔的廣東省重點領域研發(fā)計劃項目“第三代半導體功率芯片,、器件,、模塊的可靠性分析評價技術(shù)研究及關鍵設備開發(fā)”項目啟動會順利召開,。

出席啟動會的領導和專家有廣東省科技廳高新處張志彤調(diào)研員,，廣東省生產(chǎn)力促進中心陳志祥書記、蔡建周專員,，項目責任專家,、承研單位領導及課題組骨干成員。張志彤調(diào)研員首先代表省科技廳對項目總體上提出了要求,，指出項目要做好系統(tǒng)性,、長期性布局，強化共性檢測平臺能力建設,，集中項目各方優(yōu)勢資源,，建設成全國第三代半導體可靠性評價研究的技術(shù)高地。陳志祥書記指出,，電子五所在第三代半導體檢測分析領域有著較好的研究基礎,，希望通過這個項目進一步支撐廣東省第三代半導體產(chǎn)業(yè)質(zhì)量提升，對標國際標準交出廣東省的可靠性檢測方法,，實現(xiàn)局部超越,。我所副總工王曉晗代表承擔單位致辭，表示將在資金,、技術(shù),、管理等方面全力支持項目建設。

會議聽取了項目負責人和參與單位,、子課題負責人的匯報,。項目負責人重點實驗室路國光副主任從檢測方法體系、關鍵檢測設備開發(fā),、第三方檢測服務平臺等主要研究內(nèi)容對項目概況展開說明,，以失效機理研究為基礎至平臺化建設落地報告了項目總體的技術(shù)路線，建立內(nèi)部管理及監(jiān)督機制,，從項目時間節(jié)點,、財務節(jié)點、實施方案等方面對項目進行監(jiān)管,。子課題項目負責人分別從子課題研究的主要內(nèi)容出發(fā),，分別對平臺建設,、SiC功率器件測試設備開發(fā)及示范應用、GaN功率器件測試設備開發(fā)及示范應用,、標準制定的實施方案等方面進行了匯報,。

隨著項目啟動會的開啟，加強我所與各合作單位技術(shù)交流,，充分發(fā)揮各自的優(yōu)勢，共同攻克關鍵核心技術(shù),，力爭突破前沿,、引領性的技術(shù)，助力第三代半導體材料與器件領域的平臺建設,。